Taille, part, croissance et analyse de l’industrie du marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN, par types (semi-conducteurs de puissance, semi-conducteurs opto, semi-conducteurs RF), par applications couvertes (automobile, électronique grand public, aérospatiale et défense, soins de santé, technologies de l’information et de la communication, autres), perspectives régionales et prévisions jusqu’en 2035

Taille du marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN

Le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN devrait passer de 1,14 milliard USD en 2025 à 1,19 milliard USD en 2026, pour atteindre 1,23 milliard USD en 2027 et atteindre 1,63 milliard USD d’ici 2035, avec un TCAC de 3,6 % au cours de la période 2026-2035. L'électronique de puissance représente plus de 60 % de l'utilisation, tandis que les chargeurs rapides représentent près de 45 % et les applications RF environ 30 %. La croissance est tirée par des systèmes électriques à haut rendement.

Le marché américain des dispositifs à semi-conducteurs GaN connaît une croissance notable, tirée par les progrès de l’électronique de puissance, la demande croissante de solutions économes en énergie et l’adoption de la technologie GaN dans des secteurs tels que l’automobile, les télécommunications et l’électronique grand public. Avec des innovations continues et une concentration croissante sur les appareils hautes performances, le marché devrait continuer à se développer tout au long de la période de prévision de 2025 à 2033.

Principales conclusions

• Taille du marché: Le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN était évalué à 1 091 millions de dollars en 2024 et devrait atteindre 1 499,8 millions de dollars d’ici 2033, avec un TCAC de 3,6 %.
• Moteurs de croissance: L'adoption croissante du GaN dans l'électronique grand public (30 %), les solutions économes en énergie (25 %), les progrès de la technologie GaN (20 %) et les applications automobiles (25 %) sont des moteurs de croissance clés.
• Tendances: passage à des tranches de plus grande taille (30 %), au GaN dans les groupes motopropulseurs des véhicules électriques (25 %), aux dispositifs GaN RF haute fréquence pour la 5G (20 %) et aux adaptateurs d'alimentation miniaturisés (25 %).
• Acteurs clés: Toshiba, Panasonic, Cree, GaN Systems, Infineon Technologies, OSRAM, Efficient Power Conversion, NXP Semiconductors, Texas Instruments, NTT Advanced Technology.
• Aperçus régionaux: L'Asie-Pacifique est en tête du marché avec 45 %, l'Amérique du Nord suit avec 30 % et l'Europe détient 25 % de part de marché.
• Défis: Les coûts de fabrication élevés (35 %), les problèmes de production de plaquettes (30 %), la concurrence des dispositifs en silicium (20 %) et les vulnérabilités de la chaîne d'approvisionnement (15 %) sont des défis majeurs du marché.
• Impact sur l'industrie: Les semi-conducteurs GaN améliorent l'électronique de puissance (40 %), permettent l'infrastructure 5G (30 %), soutiennent la conversion d'énergie dans les véhicules (20 %) et innovent dans l'électronique grand public (10 %).
• Développements récents: Infineon Technologies a fabriqué avec succès des puces GaN sur des tranches de 300 mm en septembre 2024, dans le but de conquérir une plus grande part de marché.

Le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN se développe rapidement en raison de la demande croissante de composants à haut rendement, haute puissance et haute fréquence dans des secteurs tels que l'automobile, les télécommunications, l'aérospatiale et l'électronique grand public. Les dispositifs en nitrure de gallium (GaN) offrent des performances supérieures par rapport aux alternatives à base de silicium en permettant une commutation plus rapide, une tension de claquage plus élevée et une efficacité thermique améliorée. Ces caractéristiques rendent le GaN idéal pour les infrastructures 5G, les véhicules électriques et les systèmes d'alimentation électrique. Les innovations clés dans les technologies GaN-sur-silicium et GaN-sur-SiC contribuent également à élargir le champ d’application. Le marché bénéficie d’un fort soutien de la part des investissements gouvernementaux et privés dans l’électronique de puissance de nouvelle génération et les semi-conducteurs à large bande interdite.

Tendances du marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN

Le marché des dispositifs semi-conducteurs GaN connaît des changements dynamiques en raison de l’intégration croissante de la technologie GaN dans diverses applications haute tension et haute fréquence. Environ 43 % des stations de base de télécommunications mondiales passent à des amplificateurs de puissance basés sur GaN pour répondre aux besoins de performances des réseaux 5G. Dans le secteur des véhicules électriques, environ 36 % des véhicules électriques nouvellement lancés intègrent des composants GaN dans les chargeurs embarqués et les convertisseurs DC-DC pour une meilleure efficacité énergétique. L'électronique grand public y contribue également de manière significative, avec plus de 41 % des adaptateurs de smartphone à chargement rapide utilisant désormais des circuits intégrés d'alimentation GaN pour une alimentation électrique compacte et efficace. Dans l'aérospatiale et la défense, les dispositifs GaN RF représentent 29 % des nouveaux systèmes de communication radar et par satellite en raison de leur réponse en fréquence et de leur dureté de rayonnement supérieures. L'Amérique du Nord est en tête de la demande mondiale, représentant 38 % de la consommation totale de semi-conducteurs GaN, suivie par l'Asie-Pacifique avec 35 % et l'Europe avec 21 %. Les recherches indiquent que 33 % des fabricants d’électronique de puissance ont augmenté leurs investissements dans la R&D GaN. De plus, les substrats GaN-sur-Si sont utilisés dans 52 % de la production commerciale de dispositifs GaN en raison de leur rentabilité, tandis que les substrats GaN-sur-SiC sont choisis pour 24 % des applications RF hautes performances. Ces tendances indiquent que les dispositifs semi-conducteurs GaN deviennent essentiels à l’avenir de l’électronique et des systèmes haute fréquence économes en énergie.

Dynamique du marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN

Le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN est stimulé par l’adoption accélérée des technologies à large bande interdite dans l’électronique de puissance. Plus de 47 % des fabricants de dispositifs électriques se tournent vers les solutions GaN pour améliorer l'efficacité de commutation et la stabilité thermique. Les dispositifs GaN offrent une densité de puissance près de 60 % supérieure à celle des alternatives traditionnelles au silicium, ce qui les rend idéaux pour les applications compactes et sensibles à la chaleur. La numérisation en cours des systèmes automobiles, le stockage des énergies renouvelables et l’automatisation industrielle continuent de propulser le GaN dans le courant dominant des conceptions de semi-conducteurs de nouvelle génération.

Pilotes

"Demande croissante d’électronique de puissance économe en énergie"

La transition vers une électronique économe en énergie est un moteur majeur du marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN. Environ 58 % des centres de données mettent à niveau leurs systèmes de gestion de l'énergie à l'aide de convertisseurs basés sur GaN pour réduire les pertes d'énergie. Dans le secteur automobile, 46 % des systèmes de recharge de véhicules électriques intègrent désormais des transistors GaN pour une charge rapide avec une génération de chaleur minimale. Les fabricants d'appareils grand public signalent une augmentation de 39 % de l'adoption des circuits intégrés GaN pour les solutions d'alimentation portables en raison de leur taille compacte et de leurs capacités de commutation rapide. De plus, plus de 41 % des projets d'infrastructure mondiaux visant le déploiement de réseaux 5G dépendent d'amplificateurs de puissance GaN RF pour garantir une transmission de signal à faible latence et à haut rendement.

Contraintes

"Coût initial élevé et complexité de la fabrication du GaN"

Malgré leurs avantages, les dispositifs semi-conducteurs GaN sont confrontés à des limites dues à des coûts de production élevés et à des processus de fabrication complexes. Environ 37 % des petits et moyens fabricants citent les problèmes de coûts comme un obstacle à l'adoption. Les substrats GaN-sur-SiC, utilisés dans 24 % des applications hautes performances, sont nettement plus chers que le silicium traditionnel. De plus, 29 % des fonderies signalent des problèmes de rendement lors du traitement des plaquettes. Le manque de plates-formes de fabrication standardisées a conduit 34 % des constructeurs OEM à recourir à la personnalisation en interne, augmentant ainsi les dépenses en R&D et en outillage. Ces obstacles aux coûts et aux infrastructures continuent de restreindre l’intégration du GaN à grande échelle dans les secteurs sensibles aux prix.

Opportunité

"Expansion des marchés de la 5G et des véhicules électriques"

L’expansion des marchés de l’infrastructure 5G et des véhicules électriques présente de fortes opportunités pour l’adoption de dispositifs à semi-conducteurs GaN. Environ 62 % des fournisseurs de télécommunications investissent dans des appareils RF GaN pour améliorer la puissance du signal 5G et la fiabilité du réseau. Dans les véhicules électriques, les composants GaN sont utilisés dans 38 % des chargeurs embarqués et des onduleurs de traction pour réduire les pertes de puissance et améliorer les performances. Les projets d'infrastructures publiques de véhicules électriques déploient des chargeurs rapides basés sur GaN, avec une augmentation de 44 % de leur adoption dans les centres urbains. En outre, 31 % des nouvelles plates-formes de véhicules électriques lancées au cours des deux dernières années sont conçues autour de groupes motopropulseurs basés sur GaN, ce qui reflète la dépendance croissante à l'égard des dispositifs à large bande interdite.

Défi

"Expertise industrielle limitée et validation de la fiabilité"

Un défi majeur sur le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN est la disponibilité limitée d’une expertise qualifiée et d’une validation de fiabilité à long terme. Environ 28 % des ingénieurs en conception électronique manquent d’expérience pratique avec les protocoles de conception spécifiques au GaN, ce qui ralentit les taux d’adoption. Les problèmes de fiabilité persistent, 26 % des équipementiers signalant des données de terrain insuffisantes pour les systèmes GaN dans les environnements automobiles et industriels. Les normes de test restent incohérentes et 33 % des intégrateurs de systèmes exigent des tests de durée de vie plus robustes avant un déploiement à grande échelle. Ce manque de familiarité technique et de confiance en matière de validation retarde la transition courante du silicium au GaN dans les applications critiques.

Analyse de segmentation

Le marché des dispositifs semi-conducteurs GaN peut être segmenté par type et par application, reflétant les diverses utilisations et caractéristiques de performance des technologies à base de nitrure de gallium. Par type, le marché comprend les semi-conducteurs de puissance, les semi-conducteurs opto et les semi-conducteurs RF. Les semi-conducteurs de puissance sont essentiels pour les applications nécessitant un rendement élevé et un fonctionnement haute tension, remplaçant souvent les dispositifs à base de silicium dans l'électronique de puissance avancée. Les opto-semi-conducteurs comprennent des LED et des diodes laser qui bénéficient de la capacité du GaN à émettre une lumière vive et à résister à des températures élevées, ce qui les rend idéaux pour les applications dans les écrans, l'éclairage automobile et l'éclairage industriel. Les semi-conducteurs RF exploitent la mobilité électronique élevée et la large bande interdite du GaN pour offrir des performances supérieures dans les communications sans fil, les systèmes radar et les équipements de communication par satellite. Ensemble, ces types soulignent la polyvalence des dispositifs à semi-conducteurs GaN en offrant des performances, une efficacité et une fiabilité améliorées dans une large gamme d'applications électroniques.

Par application, le marché couvre les secteurs de l’automobile, de l’électronique grand public, de l’aérospatiale et de la défense, de la santé, des technologies de l’information et de la communication (TIC) et d’autres secteurs. Dans le secteur automobile, les dispositifs GaN permettent une conversion d'énergie efficace, des systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS) et des solutions d'éclairage innovantes, contribuant ainsi à améliorer l'efficacité énergétique et la sécurité des véhicules. L'électronique grand public bénéficie de LED, de lasers et d'adaptateurs secteur basés sur GaN qui améliorent les performances des appareils et réduisent la consommation d'énergie. Les applications aérospatiales et de défense reposent sur la durabilité et les performances haute fréquence du GaN, en particulier dans les systèmes radar et les communications sécurisées. Dans le domaine de la santé, les semi-conducteurs GaN sont utilisés dans les appareils d'imagerie, les lasers médicaux et les capteurs, garantissant un fonctionnement fiable et des diagnostics précis. Les applications TIC incluent les stations de base 5G, les alimentations électriques des centres de données et les communications par satellite, où les dispositifs GaN offrent une efficacité élevée et une gestion robuste des signaux. La catégorie « Autres » englobe les utilisations émergentes telles que les systèmes d’énergies renouvelables et l’automatisation industrielle, mettant en évidence l’innovation et l’expansion continues des technologies GaN dans diverses industries.

Par type

• Semi-conducteurs de puissance : Les semi-conducteurs de puissance représentent environ 40 % du marché. Ces dispositifs sont largement utilisés dans les systèmes de conversion de puissance, offrant un rendement élevé et une génération de chaleur réduite, ce qui les rend idéaux pour les énergies renouvelables, les onduleurs automobiles et les centres de données.
• Opto-semi-conducteurs : Les opto-semi-conducteurs représentent environ 35 % du marché. Il s'agit notamment des LED et des diodes laser à base de GaN, qui sont des composants clés des écrans, de l'éclairage général et des projecteurs haute résolution, grâce à leur luminosité supérieure et leur longue durée de vie.
• Semi-conducteurs RF : Les semi-conducteurs RF représentent environ 25 % du marché. Tirant parti des capacités de haute fréquence et de puissance du GaN, ces dispositifs sont essentiels pour l’infrastructure 5G, les communications par satellite et les systèmes radar, garantissant des performances fiables dans des environnements exigeants.

Par candidature

• Automobile: Le secteur automobile représente environ 20 % du marché. Les semi-conducteurs GaN permettent une électronique de puissance efficace, des systèmes d'éclairage innovants et des technologies avancées d'aide à la conduite, améliorant ainsi la sécurité des véhicules, l'efficacité énergétique et la flexibilité de conception.
• Electronique grand public : L'électronique grand public représente environ 30 % du marché. Les composants basés sur GaN font partie intégrante des LED, des adaptateurs d'alimentation et des appareils audio hautes performances, réduisant ainsi la consommation d'énergie et améliorant l'expérience utilisateur.
• Aérospatiale et défense : Les applications aérospatiales et de défense représentent environ 15 % du marché. La robustesse du GaN et sa capacité à gérer les hautes fréquences le rendent indispensable aux systèmes radar, aux communications sécurisées et aux équipements de guerre électronique.
• Soins de santé : Le segment de la santé représente environ 10 % du marché. Les semi-conducteurs GaN sont utilisés dans les équipements d'imagerie, les lasers médicaux et les capteurs, offrant des performances fiables pour des diagnostics précis et des procédures thérapeutiques avancées.
• Technologies de l'information et de la communication (TIC) : Les applications TIC représentent environ 20 % du marché. Les appareils GaN alimentent les stations de base 5G, l'infrastructure des centres de données et les communications par satellite, garantissant ainsi une efficacité élevée et des performances fiables dans les réseaux de communication en évolution rapide.
• Autre: La catégorie « Autres » représente environ 5 % du marché. Cela inclut les applications émergentes dans les énergies renouvelables, l’automatisation industrielle et l’infrastructure du réseau électrique, démontrant le rôle croissant du GaN dans la réalisation de nouvelles avancées technologiques.

Perspectives régionales

Le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN présente des différences régionales notables, dues à des facteurs tels que les capacités technologiques, le développement des infrastructures et la demande locale d’électronique haute performance. L'Amérique du Nord domine le marché en raison de l'importance accordée à la recherche et au développement, aux installations de fabrication de semi-conducteurs avancées et à la forte demande des secteurs de l'aérospatiale, de la défense et des TIC. L'Europe suit de près, soutenue par les initiatives gouvernementales visant à promouvoir l'efficacité énergétique, une industrie automobile bien établie et l'adoption croissante des dispositifs GaN dans les projets d'énergie renouvelable. L’Asie-Pacifique est la région qui connaît la croissance la plus rapide, bénéficiant d’un marché de l’électronique grand public florissant, d’une industrialisation rapide et d’une large base de fabricants de semi-conducteurs. Le Moyen-Orient et l'Afrique, bien que de plus petite taille, connaissent une croissance constante en raison de l'amélioration des infrastructures, de la demande croissante de technologies de communication avancées et de l'augmentation des investissements dans les énergies renouvelables. Cette perspective régionale souligne l’importance mondiale des dispositifs semi-conducteurs GaN pour stimuler le progrès technologique et répondre aux besoins changeants de diverses industries.

Amérique du Nord

L’Amérique du Nord représente environ 35 % du marché mondial des dispositifs à semi-conducteurs GaN. Le leadership de la région en matière d’innovation et de R&D, associé à une forte demande des secteurs des TIC, de l’aérospatiale et de la défense, alimente la croissance et stimule le développement de nouveaux produits.

Europe

L'Europe représente environ 30 % du marché. Un secteur automobile fort, des initiatives robustes en matière d’énergies renouvelables et l’adoption croissante de technologies économes en énergie contribuent à la position de la région en tant qu’acteur clé sur le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN.

Asie-Pacifique

L’Asie-Pacifique détient environ 25 % du marché et constitue la région à la croissance la plus rapide. L’urbanisation rapide, l’expansion de la production d’électronique grand public et la demande croissante d’infrastructures 5G stimulent l’adoption des appareils GaN dans de nombreux secteurs.

Moyen-Orient et Afrique

Le Moyen-Orient et l'Afrique représentent environ 10 % du marché. L’amélioration des infrastructures de la région, l’intérêt croissant pour les énergies renouvelables et le besoin croissant de technologies de communication avancées créent des opportunités pour l’adoption des semi-conducteurs GaN.

LISTE DES PRINCIPALES ENTREPRISES DU Marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN PROFILÉES

• Toshiba
• Panasonic
• Cri
• Systèmes GaN
• Infineon Technologies
• OSRAM
• Conversion de puissance efficace
• Semi-conducteurs NXP
• Texas Instruments
• Technologie avancée NTT

Principales entreprises ayant la part la plus élevée

• Technologies Infineon :25%
• Cri :20%

Analyse et opportunités d’investissement

Le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN est sur le point de connaître une croissance substantielle en raison de la demande croissante de dispositifs électriques à haut rendement, essentiels pour des applications telles que les véhicules électriques (VE), les systèmes d'énergie renouvelable et l'électronique mobile. Environ 40 % des investissements sur le marché sont axés sur l'expansion des dispositifs d'alimentation GaN, qui sont utilisés dans les stations de recharge de véhicules électriques, les alimentations industrielles et les convertisseurs de puissance économes en énergie. 30 % supplémentaires sont alloués aux dispositifs RF basés sur GaN, principalement utilisés dans les technologies de communication telles que l'infrastructure 5G.

L’Amérique du Nord détient une part importante du marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN, soit environ 35 %. Cela est dû en grande partie à l’adoption rapide des véhicules électriques et à la demande croissante d’infrastructures d’énergies renouvelables dans la région. La région Asie-Pacifique suit avec 30 %, tirée par les capacités de fabrication à grande échelle de pays comme la Chine, le Japon et la Corée du Sud, où les semi-conducteurs GaN sont de plus en plus utilisés dans l'électronique grand public et les appareils de communication. L'Europe détient 25 % de part de marché, principalement en raison de l'adoption de dispositifs GaN dans les applications automobiles et industrielles. D'autres régions, notamment l'Amérique latine et le Moyen-Orient, contribuent à hauteur d'environ 10 %, les investissements dans l'électronique de puissance augmentant progressivement.

Les opportunités d’investissement résident dans l’innovation et la commercialisation continues de dispositifs basés sur GaN, avec une croissance significative du marché des véhicules électriques et l’adoption du GaN dans l’infrastructure de réseau 5G. De plus, les progrès des processus de fabrication visant à réduire le coût des produits à base de GaN stimuleront davantage l’expansion du marché.

Développement de NOUVEAUX PRODUITS

En 2025, le développement de nouveaux produits sur le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN a été motivé par les progrès en matière d’efficacité, de réduction de taille et de polyvalence. Environ 45 % des nouveaux produits concernaient des dispositifs d'alimentation GaN destinés à des applications à haut rendement, telles que les systèmes de conversion d'énergie et les chargeurs de véhicules électriques. Ces dispositifs offrent une réduction de 30 % des pertes d'énergie par rapport à leurs homologues traditionnels à base de silicium, ce qui les rend parfaitement adaptés aux applications industrielles et aux systèmes d'énergie renouvelable.

35 % supplémentaires des nouveaux produits étaient axés sur les appareils RF GaN, en particulier ceux utilisés dans les télécommunications 5G. Ces produits présentent une amélioration de 25 % de la qualité et de la portée du signal, offrant ainsi les performances haute fréquence nécessaires aux réseaux mobiles de nouvelle génération. Le facteur de forme plus petit des appareils GaN permet également une infrastructure 5G plus compacte et plus efficace.

Environ 10 % des nouveaux développements concernaient des composants basés sur GaN pour l'électronique grand public, offrant des temps de charge plus rapides et des performances améliorées pour les smartphones, ordinateurs portables et autres appareils portables. Ces appareils permettent une charge 15 % plus rapide tout en maintenant la stabilité thermique, répondant ainsi à la demande des consommateurs pour des appareils électroniques plus efficaces.

De plus, 10 % des nouveaux produits étaient axés sur les dispositifs hybrides GaN-SiC (carbure de silicium), combinant les avantages des deux matériaux pour les applications nécessitant une tension et une puissance extrêmement élevées, comme dans les systèmes électriques industriels.

Développements récents

• Technologies Infineon :En 2025, Infineon Technologies a lancé une nouvelle gamme de dispositifs d'alimentation basés sur GaN qui ont amélioré l'efficacité de 30 %, les rendant adaptés aux stations de recharge de véhicules électriques haute performance et aux applications d'énergie industrielle.
• Cri :Cree a introduit un dispositif RF basé sur GaN pour les applications 5G en 2025, qui offrait une amélioration de 25 % de la gamme de fréquences et de la qualité du signal, répondant ainsi à la demande croissante d'une infrastructure 5G robuste.
• Systèmes GaN :GaN Systems a dévoilé un nouveau module d'alimentation GaN en 2025 pour les systèmes d'énergie renouvelable, offrant une efficacité de conversion d'énergie 20 % supérieure, contribuant ainsi à des solutions énergétiques plus propres.
• Panasonic :En 2025, Panasonic a lancé un transistor de puissance GaN compact avec une génération de chaleur inférieure de 15 %, améliorant les performances des appareils électroniques mobiles comme les smartphones et les ordinateurs portables.
• Conversion de puissance efficace :Efficient Power Conversion a développé un dispositif d'alimentation GaN-sur-Si en 2025 qui réduit les pertes d'énergie de 20 %, offrant ainsi une solution plus rentable pour les applications industrielles nécessitant une gestion de l'énergie à haut rendement.

COUVERTURE DU RAPPORT

Le rapport sur le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN fournit des informations complètes sur les principaux moteurs, tendances, défis et opportunités du marché. Le marché est segmenté en dispositifs d'alimentation GaN, dispositifs GaN RF et appareils électroniques grand public basés sur GaN, les dispositifs d'alimentation GaN détenant actuellement la plus grande part de marché, soit 50 %. Les dispositifs GaN RF contribuent à hauteur de 30 %, tandis que les appareils électroniques grand public basés sur GaN représentent 15 %, les 5 % restant étant attribués aux dispositifs hybrides GaN-SiC utilisés dans les applications à haute puissance.

L'Amérique du Nord continue de dominer le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN, détenant 35 % de part de marché en raison de l'accent mis par la région sur l'adoption des véhicules électriques et les systèmes de communication avancés. La région Asie-Pacifique suit de près avec 30 %, les principaux fabricants de semi-conducteurs en Chine, au Japon et en Corée du Sud étant en tête de la production de dispositifs basés sur GaN. L'Europe accapare 25 % du marché, tirée par les applications industrielles et les cas d'utilisation de l'automobile, tandis que l'Amérique latine et le Moyen-Orient représentent 10 % en raison de l'augmentation des investissements dans les infrastructures.

Les progrès technologiques dans la fabrication du GaN, tels que les techniques de liaison de plaquettes et l’augmentation de la stabilité thermique, remodèlent le marché. Des acteurs clés comme Infineon Technologies, Cree et GaN Systems sont à la pointe de l'innovation avec leurs produits GaN de nouvelle génération, qui continuent de stimuler la croissance dans diverses applications, notamment l'électronique de puissance, les télécommunications et les appareils grand public. Le rapport souligne le rôle croissant des semi-conducteurs GaN dans le développement des infrastructures 5G, des véhicules électriques et des systèmes d'énergie renouvelable, soulignant les opportunités d'investissement substantielles dans ces domaines.