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ラピッドサーマルアニーリング(RTA)機器市場

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ラピッドサーマルアニーリング(RTA)機器の市場規模、シェア、成長、および業界分析、タイプ(ランプベース、レーザーベース、ヒーターベース)、アプリケーション(R&D、工業生産)、地域洞察、2033年までの予測

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最終更新日: May 19 , 2025
基準年: 2024
履歴データ: 2020-2023
ページ数: 108
SKU ID: 25005055
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  • 概要
  • 目次
  • 推進要因と機会
  • セグメンテーション
  • 地域分析
  • 主要プレイヤー
  • 方法論
  • よくある質問
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急速な熱アニーリング(RTA)機器市場規模

世界のラピッドアニーリング(RTA)機器市場規模は2024年に16億米ドルであり、2025年に16億7,000万米ドルに達すると予測されており、最終的には2033年までに24億米ドルに成長しています。

ラピッドサーマルアニーリング(RTA)機器市場

米国のラピッドアニーリング(RTA)機器市場は、AIおよびチップ設計の革新への堅牢な投資により、大きな牽引力を示しています。米国ベースのファウンドリーの約68%が高度なRTAシステムを統合しており、新しいR&D施設の52%が、精密ベースのデバイス開発とナノテック実験のためにこれらのツールに優先順位を付けています。

重要な調査結果

  • 市場規模:2024年には16億ドルと評価され、2025年に16億7,700万ドルに触れて、4.68%のCAGRで2033年までに24億ドルに触れると予測されていました。
  • 成長ドライバー:ファウンドリーの61%以上がサブ10NMノードにRTAを使用し、53%がドーパントの活性化に依存しています。
  • トレンド:FABSの約65%がランプベースのRTAシステムを好み、48%にAIベースの制御モジュールが含まれています。
  • キープレーヤー:応用材料、東京電子、Veeco、Mattson Technology、Kokusai Electricなど。
  • 地域の洞察:アジア太平洋地域は、世界の展開の72%を保有しており、中国、韓国、台湾が養子縁組のトレンドをリードしています。
  • 課題:小さなファブのほぼ64%が高い初期コストを挙げていますが、56%が技術的な問題としてプロセスの最適化を報告しています。
  • 業界への影響:Smart Fabsの約67%が、自動化とリアルタイムプロセスの監視を強化するためにRTAツールを統合します。
  • 最近の開発:2023 - 2024年に開始された新しいツールの52%は、ハイブリッド加熱と予測維持機能を特徴としています。

ラピッドサーマルアニーリング(RTA)機器市場は、技術革新と多様な材料互換性とともに急速に進化しています。半導体メーカーの約57%が、AI統合されたRTAツールを使用したウェーハレベルの精度に焦点を当てています。ランプソースとレーザー源を組み合わせたハイブリッドアニーリングシステムの増加により、熱精度が46%以上増加しています。さらに、新しい展開の43%がエネルギー消費の減少を強調しています。市場は、5G、自動車ICS、光学コンピューティングを含む次世代電子機器のアプリケーションによって大きく推進されています。 R&Dラボでの採用も54%増加しました。特に、高度な材料実験と量子装置の研究で成長しています。

ラピッドサーマルアニーリング(RTA)機器市場

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ラピッドサーマルアニーリング(RTA)機器市場の動向

急速な熱アニーリング(RTA)機器市場は、高度な半導体製造技術の需要のエスカレートにより、かなりの勢いを目の当たりにしています。統合回路メーカーの65%以上がRTA機器を生産ラインに統合し、ドーパントの活性化の改善と接合部漏れの減少を実現しています。シリコンベースのデバイスの生産におけるRTA機器の採用は、マイクロエレクトロニクスでの熱処理の速度が必要であるため、58%増加しています。さらに、半導体ファブの70%以上がサブ10NMプロセスノードに焦点を当てており、熱サイクルの精度と均一な加熱能力により、RTAシステムに依存しています。

メモリデバイスセクターでは、NAND FlashとDRAMの製造ユニットのほぼ62%がRTAテクノロジーを採用して、結晶構造を強化し、電気性能を高めています。 GANやSICを含む複合半導体処理におけるRTA機器の使用は、パワーエレクトロニクスと5Gアプリケーションの需要の増加に伴い、48%急増しています。さらに、ナノエレクトロニクスに焦点を当てたR&Dラボのほぼ55%が、量子コンピューティングと高度なフォトニクスの革新をサポートするためにRTAツールに積極的に投資しています。さまざまな用途にわたる急速な熱アニーリング機器のこの堅牢な統合は、次世代半導体生態系におけるその重要性を固め、動的で競争の激しい成長環境を反映しています。

ラピッドサーマルアニーリング(RTA)機器市場のダイナミクス

drivers
ドライバー

高度な半導体ノードの増殖

半導体設計におけるサブ10NMおよびサブ7NMノードへのシフトの増加により、正確な熱処理のためにRTA機器の使用が61%増加しました。チップファウンドリーの67%以上が、RTA統合によるエネルギー効率と性能の一貫性の改善を報告しました。 RTAが浅い接合部の形成とドーパントの活性化に重要な役割を果たしているため、論理およびメモリICプロデューサーからの需要が53%増加しました。

opportunity
機会

化合物半導体アプリケーションにおける役割の拡大

電気自動車や5Gインフラストラクチャにおける窒化ガリウム(GAN)や炭化シリコン(SIC)などのワイドバンドギャップ半導体の展開の上昇により、RTA機器の47%の成長機会が促進されています。現在、化合物半導体製造施設のほぼ60%がRTAシステムを採用しており、不快感とストレス緩和を緩和しています。さらに、電力半導体デバイスメーカーの52%が、高性能の材料要件をサポートするために、高度なアニーリングシステムへの資本配分の増加を示しています。

拘束

"インストールとカスタマイズの高い初期コスト"

中小企業および中規模の半導体企業の約64%が、RTAシステムの高い買収コストを重要な抑制として特定し、新興企業間の採用を制限しています。さまざまなプロセスノードと材料タイプのカスタマイズ要件は、調達時間の58%の増加と統合コストの45%の増加に貢献します。これらの財政的ハードルは、RTAテクノロジーを効果的に展開するための資金が限られている新規参入者とR&Dラボにとって挑戦的です。

チャレンジ

"技術的な複雑さとプロセスの最適化"

製造エンジニアの約51%が、特に高度なノードで、RTAプロセス中に均一な温度分布と正確な滞留時間を達成する際の課題を報告しています。熱プロファイルの変動は、初期テスト実行で49%の故障率につながり、拡張プロセスキャリブレーションが必要です。さらに、業界のプレーヤーの56%が、RTA機器のスマートファブの他の自動化ツールとシームレスにシームレスに統合し、大量の製造環境で運用上のボトルネックを作成するのに苦労しています。

セグメンテーション分析

迅速な熱アニーリング(RTA)機器市場は、タイプとアプリケーションによってセグメント化されており、需要を形作る技術的好みと展開環境への洞察を提供します。タイプに基づいて、市場はランプベース、レーザーベース、ヒーターベースのシステムにセグメント化されており、それぞれ半導体処理のための独自の加熱メカニズムを提供します。ランプベースのシステムは多数派のシェアを占めていますが、レーザーベースのヒーターベースのタイプは、特殊なユースケースのために人気を博しています。アプリケーションにより、市場は研究開発と工業生産に分類され、どちらもマイクロエレクトロニクスと複合半導体ドメイン全体で迅速な熱アニーリング技術の採用を拡大する上で重要な役割を果たしています。各セグメントは、精度、スケーラビリティ、エネルギー効率などのエンドユーザーの要件に基づいて、異なる貢献をします。

タイプごとに

  • ランプベース:総設​​置の58%以上は、ランプベースのRTAシステムに属し、迅速な加熱と冷却サイクルを達成する能力によって駆動されます。これらのシステムは、熱の均一性とコスト効率のために、大量のウェーハ処理のための大きな半導体ファブによって好まれます。ランプベースのシステムは、主にサブ28NM処理ノードで使用されており、従来の炉と比較して最大65%のスループットが改善されています。
  • レーザーベース:レーザーベースのRTAシステムは、特に精密ドーピングおよび選択的アニーリングアプリケーションで、成長の急増を目撃しています。高度な研究室の約32%が、80%以上の精度で局所的な加熱を提供する能力により、レーザーベースのRTAを採用しています。これらのシステムは、制御されたエネルギー送達が重要なフォトニクスおよび量子半導体研究プロジェクトにますます統合されています。
  • ヒーターベース:ヒーターベースのRTAシステムは、特定の化合物半導体プロセスで利用されており、ニッチな産業用ユースケースのほぼ26%を占めています。これらのシステムは、パワー半導体製造におけるストレス緩和プロセスに最適なランプアップレートの遅いレートを提供します。採用は、SICおよびGANベースのデバイス製造で最も強く、欠陥の減少の42%の増加に貢献しています。

アプリケーションによって

  • R&D:RTA機器の約48%が研究開発の設定で利用されており、プロトタイプデバイスのテスト、材料分析、およびプロセスの最適化をサポートしています。これらのシステムは、大学の研究室、政府が資金提供する研究センター、および企業R&D施設で一般的です。 R&Dセグメントでは、柔軟なマルチマテリアル処理機能の需要があるため、新興のナノテクノロジー研究所の間で採用が54%増加しました。
  • 工業生産:RTA機器のほぼ52%が、特に大規模な半導体ファウンドリーと製造工場内で、工業生産環境に展開されています。このアプリケーションセグメントは、高速熱サイクルの達成、ウェーハの反りの最小化、および汚染リスクの減少においてその役割により、大量の製造で60%以上増加しました。一般に、効率とプロセスの再現性のために自動化システムと統合されています。

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地域の見通し

迅速な熱アニーリング(RTA)機器市場は、高度な材料研究における技術インフラストラクチャ、半導体生産能力、および政府の資金によって駆動される強力な地域差別化を実証しています。アジア太平洋地域は、中国、台湾、韓国、日本などの国での大量の半導体製造によってサポートされているRTA展開の支配的なハブです。北米では、AIチップと複合半導体のイノベーションに促進された堅牢な需要を示しています。スマートモビリティとフォトニクスへの投資が増加しているため、ヨーロッパは依然として安定した市場です。一方、中東とアフリカ地域は、主に半導体パイロットラインと再生可能エネルギーアプリケーションへの投資によって推進される、ゆっくりとしたが新たな関心を目撃しています。

北米

北米はRTA機器市場で大きなシェアを保持しており、米国は地域の需要の68%以上に貢献しています。シリコンフォトニクスとAIベースの半導体R&Dの成長により、国家研究所と民間研究センター全体で機器の展開が55%増加しました。カナダとメキシコは、政府が支援する電子機器の製造インセンティブによって駆動される、ほぼ21%のシェアを合わせて出現しています。レーザーベースのRTAシステムの採用により、特に大学のコンソーシアムと防衛部門では、ナノテクノロジー中心の施設で46%の成長が見られました。

ヨーロッパ

ヨーロッパは、ドイツ、フランス、およびオランダが地域の展開の63%近くを占めるため、急速な熱アニーリング機器スペースの一貫した成長を維持しています。自動車用電子機器とパワーデバイス開発は、特にドイツのSICデバイス製造の52%の増加により、大手貢献者です。ヨーロッパのシップメーカーの49%以上が、EVおよびIoTアプリケーションのスループットを強化するために、ランプベースのRTAシステムを統合しています。この地域では、RTAプロセスを含む次世代半導体材料に焦点を当てた研究助成金が41%増加しています。

アジア太平洋

アジア太平洋地域が世界のRTA機器市場を支配しており、この地域には総設置の72%以上が集中しています。中国は、国内の半導体製造への大規模な投資によって駆動される、約33%の市場シェアでリードしています。台湾と韓国は一緒になってさらに29%貢献し、鋳造工場と記憶のファブに強い採用があります。日本は、RTAイノベーションの重要なプレーヤーであり、グローバルなレーザーベースのRTAシステムエクスポートの38%を担当しています。また、この地域では、高出力用途でのGANおよびSIC処理用のヒーターベースのシステムの展開が65%増加しました。

中東とアフリカ

中東とアフリカ地域は、主にイスラエルと南アフリカのパイロットプロジェクトによって駆動されるRTA機器の景観に徐々に現れています。地域の成長の約14%は、テスト製造ユニットを設定するためのグローバル半導体企業とのパートナーシップに起因しています。アラブ首長国連邦とサウジアラビアの研究機関は、ナノ材料実験のためのランプベースのRTAツールの調達が36%増加していることを示しています。全体的な市場規模は依然として限られていますが、Clean Techおよび再生可能エネルギーのデバイスにおける政府主導のイニシアチブは、前年比28%上昇しているRTA需要を推進しています。

主要なラピッドサーマルアニーリング(RTA)機器市場企業のリスト

  • veeco
  • 応用材料
  • Centrotherm
  • コクサイエレクトリック
  • 東京電子
  • JTEKT Thermo Systems
  • マットソンテクノロジー
  • CVD Equipment Corporation
  • スクリーンホールディングス
  • アニールシー

市場シェアが最も高いトップ企業

  • 応用材料:世界のラピッドアニーリング機器市場の約27%を保有しています。
  • 東京電子:広範な半導体ツールポートフォリオにより、21%近くの市場シェアをコマンドします。
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技術の進歩

ラピッドサーマルアニーリング(RTA)機器市場の技術的進歩により、処理精度、エネルギー効率、統合機能が大幅に改善されています。新たに展開されたRTAツールの約62%が、プロセス制御とリアルタイムのフィードバック調整を強化するためのAIベースのサーマルプロファイリングを備えています。半導体ファブの54%以上が、予測メンテナンスアルゴリズムを備えたSMART RTAシステムに移行し、計画外のダウンタイムを46%削減しています。さらに、赤外線ベースのウェーハ温度センサーの採用により、従来の熱電対法よりも温度精度が38%向上しました。

RTAツールでの高度な材料互換性モジュールの統合は49%増加し、SIC、GAN、さらにはグラフェンを含む幅広いウェーハ基板をサポートしています。自動化統合率はRTAシステムで67%に達し、よりスムーズな生産フローと利回り管理が強化されました。さらに、製造業者の43%以上がクラスターツール機能を追加して、単一のプラットフォームでのアニーリングとエッチングまたは堆積プロセスを組み合わせて、ハイブリッド処理フローをサポートしています。これらの技術的アップグレードは、次世代半導体設計と製造環境でのRTAの採用を促進しています。

新製品開発

ラピッドサーマルアニーリング(RTA)機器市場の新製品開発は、材料科学、プロセス制御、および機器の小型化の革新によって形作られています。大手メーカーの約57%が、アカデミックおよびナノラブの使用を対象としたコンパクトなベンチトップRTAツールを導入しています。これらのシステムは、モジュラーチャンバーで設計されており、2インチから8インチまでのさまざまなウェーハサイズをサポートし、柔軟な実験的構成を促進します。過去1年間に開始された新しいRTAシステムの61%以上が、高度なロジックチップでの超シャロージャンクション要件を満たすために、1秒あたり250°Cを超える高速加熱機能を備えています。

新しく発売されたRTA機器のほぼ45%には、85%以上のエネルギー精度でマルチゾーンの熱処理を可能にするハイブリッドランプレーザー技術が含まれています。さらに、最近のモデルの52%以上が、仮想プロセスモデリングのためのデジタルツインシミュレーションを備えた統合ソフトウェアプラットフォームを提供しています。メーカーはまた、より環境に優しい製造環境に低エネルギーRTAツールの導入に焦点を当てており、新しいシステムの39%がレガシー機器と比較して最大30%の消費電力を示しています。これらの開発は、持続可能性とハイテクのパフォーマンスの両方によって推進される市場を反映しています。

最近の開発

  • VEECOは、ハイスループットRTAプラットフォーム(2023)を発売しました。Veecoは、均一性制御が強化されたハイスループットウェーハ処理用に設計された新しいRTAプラットフォームを導入しました。このツールは、プロセスの再現性が48%改善され、さまざまなウェーハサイズで熱応力が36%改善されたことが示されました。この打ち上げは、生産の拡大を検討しているロジックおよびメモリチップ生産者からの需要の高まりをサポートします。
  • 熱制御システムにおける東京電子統合AI(2024):東京電子は、AIベースの熱制御ソフトウェアを組み込むことによりRTAシステムをアップグレードしました。その結果、温度精度が52%増加し、欠陥関連のプロセスの再実行が40%減少しました。このイノベーションは、高度なノード製造における業界のより厳しい制御の必要性に対処しています。
  • Mattson Technologyは、マルチゾーンRTAツール(2023)を導入しました。Mattsonは、単一のウェーハでさまざまな熱プロファイルを処理できるマルチゾーンアニーリングシステムを開始しました。採用は、特にGANおよびSIC処理で、化合物半導体ファブで33%増加しました。このツールはまた、ウェーハエッジの均一性を46%改善しました。
  • CVD Equipment Corporationの強化ハイブリッド加熱モジュール(2024):CVD Equipment Corporationは、ランプと抵抗加熱を組み合わせたアップグレードされたハイブリッド加熱RTAモジュールをリリースしました。このシステムは、材料の互換性を38%、エネルギー効率を41%増加させ、特にR&Dセットアップと低容量の専門生産ラインに利益をもたらしました。
  • Centrothermは、ラボ向けにコンパクトRTAシステムをデビューしました(2023):Centrothermは、アカデミックおよびスタートアップラボを対象としたベンチトップRTAユニットを発表しました。コンパクトツールは、2インチから6インチのウェーハサイズをサポートし、以前のモデルと比較して最大55%のサイクル時間を速くします。ナノテクノロジーの研究施設の間で迅速な採用を遂げました。

報告報告

迅速な熱アニーリング(RTA)機器市場レポートは、市場のダイナミクス、セグメンテーション、トレンド、地域分析、競争力のある景観の包括的なカバレッジを提供します。このレポートには、テクノロジーの採用率に関する詳細な洞察が含まれており、メーカーの62%以上がランプベースのシステムに焦点を当てており、AI対応制御システムに向けて48%のシフトが観察されています。ランプベース、レーザーベースのツール、ヒーターベースのツール、工業生産やR&Dなどのアプリケーションセグメントなど、タイプごとのセグメンテーションをカバーし、産業ユーザーが全体的な展開に52%以上貢献しています。

地域では、このレポートでは、アジア太平洋地域などの高成長地域を調べます。アジア太平洋地域では、総施設の72%以上を占め、RTAイノベーションプロジェクトへの北米の68%の貢献を強調しています。さらに、このレポートでは、主要なプレーヤー、10の大手企業、最近の製品革新のプロファイルの概要を説明しています。材料の互換性と自動化の進歩を追跡し、プロセス効率を54%改善しました。また、このレポートは、2023年と2024年からの製品の発売とAI統合に関するデータもキャプチャし、市場の進化の全体的な見方を提供します。

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迅速な熱アニーリング(RTA)機器市場レポートの詳細範囲とセグメンテーション
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カバーされているアプリケーションによって

R&D、工業生産

カバーされているタイプごとに

ランプベース、レーザーベースのヒーターベース

カバーされているページの数

108

カバーされている予測期間

2025〜2033

カバーされた成長率

予測期間中のCAGR 4.68%

カバーされている値投影

2033年までに24億米ドル

利用可能な履歴データ

2020年から2023年

カバーされている地域

北米、ヨーロッパ、アジア太平洋、南アメリカ、中東、アフリカ

カバーされた国

米国、カナダ、ドイツ、英国、フランス、日本、中国、インド、南アフリカ、ブラジル

よくある質問

  • 2033年までに触れると予想されるラピッドサーマルアニーリング(RTA)機器市場はどのような値ですか?

    世界的なラピッドアニーリング(RTA)機器市場は、2033年までに24億米ドルに達すると予想されます。

  • 2033年までに展示される予定のラピッドサーマルアニーリング(RTA)機器市場はどのCAGRですか?

    ラピッドサーマルアニーリング(RTA)機器市場は、2033年までに4.68%のCAGRを示すと予想されます。

  • ラピッドサーマルアニーリング(RTA)機器市場のトッププレーヤーは何ですか?

    veeco、Applied Materials、Centrotherm、Kokusai Electric、Tokyo Electron、Jtekt Thermo Systems、Mattson Technology、CVD Equipment Corporation、Screen Holdings、Annealsys

  • 2024年のラピッドサーマルアニーリング(RTA)機器市場の価値は何でしたか?

    2024年、急速な熱アニーリング(RTA)機器市場価値は16億米ドルでした。

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  • Angola+244
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  • Benin (Bénin)+229
  • Bermuda+1441
  • Bhutan (འབྲུག)+975
  • Bolivia+591
  • Bosnia and Herzegovina (Босна и Херцеговина)+387
  • Botswana+267
  • Brazil (Brasil)+55
  • British Indian Ocean Territory+246
  • British Virgin Islands+1284
  • Brunei+673
  • Bulgaria (България)+359
  • Burkina Faso+226
  • Burundi (Uburundi)+257
  • Cambodia (កម្ពុជា)+855
  • Cameroon (Cameroun)+237
  • Canada+1
  • Cape Verde (Kabu Verdi)+238
  • Caribbean Netherlands+599
  • Cayman Islands+1345
  • Central African Republic (République centrafricaine)+236
  • Chad (Tchad)+235
  • Chile+56
  • China (中国)+86
  • Christmas Island+61
  • Cocos (Keeling) Islands+61
  • Colombia+57
  • Comoros (‫جزر القمر‬‎)+269
  • Congo (DRC) (Jamhuri ya Kidemokrasia ya Kongo)+243
  • Congo (Republic) (Congo-Brazzaville)+242
  • Cook Islands+682
  • Costa Rica+506
  • Côte d’Ivoire+225
  • Croatia (Hrvatska)+385
  • Cuba+53
  • Curaçao+599
  • Cyprus (Κύπρος)+357
  • Czech Republic (Česká republika)+420
  • Denmark (Danmark)+45
  • Djibouti+253
  • Dominica+1767
  • Dominican Republic (República Dominicana)+1
  • Ecuador+593
  • Egypt (‫مصر‬‎)+20
  • El Salvador+503
  • Equatorial Guinea (Guinea Ecuatorial)+240
  • Eritrea+291
  • Estonia (Eesti)+372
  • Ethiopia+251
  • Falkland Islands (Islas Malvinas)+500
  • Faroe Islands (Føroyar)+298
  • Fiji+679
  • Finland (Suomi)+358
  • France+33
  • French Guiana (Guyane française)+594
  • French Polynesia (Polynésie française)+689
  • Gabon+241
  • Gambia+220
  • Georgia (საქართველო)+995
  • Germany (Deutschland)+49
  • Ghana (Gaana)+233
  • Gibraltar+350
  • Greece (Ελλάδα)+30
  • Greenland (Kalaallit Nunaat)+299
  • Grenada+1473
  • Guadeloupe+590
  • Guam+1671
  • Guatemala+502
  • Guernsey+44
  • Guinea (Guinée)+224
  • Guinea-Bissau (Guiné Bissau)+245
  • Guyana+592
  • Haiti+509
  • Honduras+504
  • Hong Kong (香港)+852
  • Hungary (Magyarország)+36
  • Iceland (Ísland)+354
  • India (भारत)+91
  • Indonesia+62
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  • Iraq (‫العراق‬‎)+964
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  • Kuwait (‫الكويت‬‎)+965
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  • Luxembourg+352
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  • Macedonia (FYROM) (Македонија)+389
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  • Malawi+265
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  • Marshall Islands+692
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  • Mauritania (‫موريتانيا‬‎)+222
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  • Nigeria+234
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